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  • 導致MOS場效應管發熱嚴重的四大原因因素
    • 發布時間:2020-01-06 17:17:45
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    導致MOS場效應管發熱嚴重的四大原因因素
    在半導體電子應用過程中,場效應管(簡稱MOS管)經常會出現發熱嚴重的現象,那么是什么原因才會導致MOS管嚴重發熱?
    首先我們需要了解MOS管的構造原理,如下圖:
    MOS場效應管發熱
    從上圖可以看出,場效應管(MOS管)是只要一種載流子參與導電,用輸入電壓控制輸出電流的半導體器件,進一步可以劃分為有N溝道器件和P溝道器件,關于MOS管的詳細介紹可以通過上文《細說MOS管一》和《細說MOS管二》
    結合細說MOS管一和細說MOS管二的內容,我將MOS管發熱嚴重的原因總結為以下四點:
    第一點:電路設計的問題,就是讓MOS管工作在線性的工作狀態,而不是在開關狀態。這也是導致MOS管發熱的一個原因。如果N-MOS做開關,G級電壓要比電源高幾V,才能完全導通,P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗,等效直流阻抗比較大,壓降增大,所以U*I也增大,損耗就意味著發熱。這是設計電路的最忌諱的錯誤;
    第二點:MOS管頻率太高,主要是有時過分追求體積,導致頻率提高,MOS管上的損耗增大了,所以發熱也加大了;
    第三點:電路板沒有做好足夠的散熱設計,電流太高,MOS管標稱的電流值,一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小于最大電流,也可能發熱嚴重,需要足夠的輔助散熱片;
    第四點:MOS管的選型有誤,對功率判斷有誤,MOS管內阻沒有充分考慮,導致開關阻抗增大。
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