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高壓MOS管在高速吹風(fēng)機(jī)中的應(yīng)用介紹
2024-08-06
高壓MOS管在高速吹風(fēng)機(jī)中的應(yīng)用介紹高速吹風(fēng)機(jī)的高轉(zhuǎn)速，主要來自直流三相無刷電機(jī)，利用其結(jié)構(gòu)簡單、可靠性高、調(diào)速性能好、壽命長、無換
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耗盡模式與增強(qiáng)模式MOS管是什么,有什么區(qū)別
2024-08-06
耗盡模式與增強(qiáng)模式MOS管是什么,有什么區(qū)別耗盡模式和增強(qiáng)模式MOS管是什么耗盡型MOSFET：耗盡型 MOSFET 類似于開路開關(guān)。在此模式下，施
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MOS管電源開關(guān)電路的軟啟動解析
2024-08-06
MOS管電源開關(guān)電路的軟啟動解析MOS管電源開關(guān)電路軟啟動的原理。下面用來講解的電路，以5V的電壓為例，一般控制1A左右的電流的通斷，已經(jīng)大
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雙向電平轉(zhuǎn)換電路圖,單個MOS管的雙向電平轉(zhuǎn)換電路設(shè)計介紹
2024-08-05
雙向電平轉(zhuǎn)換電路圖,單個MOS管的雙向電平轉(zhuǎn)換電路設(shè)計介紹日常工作中會經(jīng)常碰到電平需要轉(zhuǎn)換的場景，尤其像需要的電壓不同的芯片之間的轉(zhuǎn)換
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MOS管構(gòu)成的開關(guān)電流電路延遲線的設(shè)計方法介紹
2024-08-05
MOS管構(gòu)成的開關(guān)電流電路延遲線的設(shè)計方法介紹本文分析了第二代開關(guān)電流存儲單元存在的問題，提出了改進(jìn)方法，并設(shè)計了延遲線電路。此電路
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IGBT的結(jié)構(gòu)與工作原理,igbt及mos管的區(qū)別介紹
2024-08-05
IGBT的結(jié)構(gòu)與工作原理,igbt及mos管的區(qū)別介紹IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）的結(jié)構(gòu)由P區(qū)、N+區(qū)和N區(qū)組成，其特點(diǎn)如下：P區(qū)（P型襯底）：P區(qū)是I
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MOS管寄生參數(shù)的影響與其驅(qū)動電路要點(diǎn)介紹
2024-08-05
MOS管寄生參數(shù)的影響與其驅(qū)動電路要點(diǎn)介紹我們在應(yīng)用MOS管和設(shè)計MOS管驅(qū)動的時候，有很多寄生參數(shù)，其中最影響MOS管開關(guān)性能的是源邊感抗。
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以NMOS舉例,只用萬用表二極管檔測量MOS管的好壞介紹
2024-08-05
以NMOS舉例,只用萬用表二極管檔測量MOS管的好壞介紹以NMOS舉例，只用萬用表二極管檔測量MOS管的好壞。NMOS的D極和S極之間有一個寄生二極管
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MOS管構(gòu)成的緩沖器Buffer與漏極開路門OD門的詳解
2024-08-05
MOS管構(gòu)成的緩沖器Buffer與漏極開路門OD門的詳解MOS管構(gòu)成的緩沖器Buffer和漏極開路們OD門是數(shù)字電路非常重要的概念，怎么構(gòu)成的；反相器，
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怎么計算MOS管的開關(guān)電路
2024-08-05
怎么計算MOS管的開關(guān)電路1 源極接地型開關(guān)如下是NMOS和PMOS的源極接地型開關(guān)，所謂源極接地型，即NMOS的源極直連GND，PMOS的源極直連VDD。
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三極管與MOS管在模擬電路上的區(qū)別介紹
2024-08-03
三極管與MOS管在模擬電路上的區(qū)別介紹MOS管和三極管在功能上有什么區(qū)別？這兩種元件本身就可以看作一個基本單元，一個獨(dú)立的器件，就算拆開
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MOS管驅(qū)動電路功率損耗的計算方法介紹
2024-08-03
MOS管驅(qū)動電路功率損耗的計算方法介紹當(dāng)我們在設(shè)計任意一個開關(guān)電路的時候，功耗都是一個重要的考量，對于MOS管驅(qū)動電路而言更是如此，在一