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分析cmos電路邏輯與主要參數(shù)-cmos外形結(jié)構(gòu)和工作速度知識
2019-09-04
分析cmos電路邏輯CMOS是單詞的首字母縮寫，集成電路是一塊微小的硅片，它包含有幾百萬個(gè)電子元件。術(shù)語IC隱含的含義是將多個(gè)單獨(dú)的集成電路
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功率MOS管失效損壞原因分析方法
2019-09-03
功率MOS管 失效分析經(jīng)常使用MOS管的人都會知道，MOS管其實(shí)就是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或
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MOS管并聯(lián)方法與工作原理和mos管并聯(lián)均流技術(shù)解析
2019-09-03
mos管并聯(lián)方法什么是并聯(lián)并聯(lián)是元件之間的一種連接方式，其特點(diǎn)是將2個(gè)同類或不同類的元件、器件等首首相接，同時(shí)尾尾亦相連的一種連接方式
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MOS晶體管低功耗電路-MOS晶體管開通過程與影響因素
2019-09-03
什么是MOS晶體管mos晶體管，金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管，有MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成
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ccd傳感器與cmos區(qū)別-ccd和cmos傳感技術(shù)原理作用與其區(qū)別比較
2019-09-03
ccd傳感器和cmos區(qū)別ccd傳感器簡介電荷耦合器件圖像傳感器CCD（Charge Coupled Device），它使用一種高感光度的半導(dǎo)體材料制成，能把光線
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碳化硅肖特基二極管參數(shù)選型表-肖特基二極管原理與特點(diǎn)優(yōu)
2019-09-03
碳化硅肖特基二極管碳化硅肖特基二極管早已有之。它是一種金屬與半導(dǎo)體硅接觸的二極管，由于它的這種特殊結(jié)構(gòu)，使其具有如下不同尋常的特性
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場效應(yīng)管發(fā)熱嚴(yán)重的原因分析-場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)特點(diǎn)與工作原理
2019-09-02
場效應(yīng)管發(fā)熱嚴(yán)重的原因場效應(yīng)管場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型（junction FET—JFET)
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MOS管失效的6個(gè)原因-分析與失效應(yīng)對措施
2019-09-02
MOS管失效的六大原因MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。
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mos經(jīng)典驅(qū)動電路詳情-mos結(jié)構(gòu)與種類導(dǎo)通特性分析
2019-09-02
mos經(jīng)典驅(qū)動電路一、MOS經(jīng)典驅(qū)動電路在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動電路的時(shí)候，大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電
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晶體管與mos管的區(qū)別是什么-晶體管和mos管區(qū)別分析
2019-09-02
晶體管和mos管區(qū)別什么是MOS管mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)
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半橋諧振LLC+CoolMOS開關(guān)端電路工作原理與結(jié)構(gòu)分析
2019-09-02
半橋諧振LLC+CoolMOS開關(guān)端電路工作原理解析半橋電路結(jié)構(gòu)，半橋結(jié)構(gòu)如圖所示，它是兩個(gè)功率開關(guān)器件（如 MOS 管）以圖騰柱的形式相連接，
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三極管開關(guān)電路應(yīng)用和開關(guān)電路狀態(tài)的影響因素解析
2019-08-31
三極管三極管，全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電